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可控硅怎么测量好坏

发布时间:2021-10-20 10:30:09

1、如何测量可控硅的好坏

1. 单向可控硅的检测:

万用表选电阻R*1Ω挡,用红、黑两表笔分别测任意两引脚间正反向电阻直至找出读数为数十欧姆的一对引脚,此时黑表笔的引脚为控制极G,红表笔的引脚为阴极K,另一空脚为阳极A。此时将黑表笔接已判断了的阳极A,红表笔仍接阴极K。

2. 双向可控硅的检测:

用万用表电阻R*1Ω挡,用红、黑两表笔分别测任意两引脚间正反向电阻,结果其中两组读数为无穷大。若一组为数十欧姆时,该组红、黑表所接的两引脚为第一阳极A1和控制极G,另一空脚即为第二阳极A2。

确定A1、G极后,再仔细测量A1、G极间正、反向电阻,读数相对较小的那次测量的黑表笔所接的引脚为第一阳极A1,红表笔所接引脚为控制极G。

(1)可控硅怎么测量好坏扩展资料:

可控硅的主要参数有:

1、 额定通态平均电流IT 在一定条件下,阳极---阴极间可以连续通过的50赫兹正弦半波电流的平均值。

2、 正向阻断峰值电压VPF 在控制极开路未加触发信号,阳极正向电压还未超过导能电压时,可以重复加在可控硅两端的正向峰值电压。可控硅承受的正向电压峰值,不能超过手册给出的这个参数值。

3、 反向阻断峰值电压VPR 当可控硅加反向电压,处于反向关断状态时,可以重复加在可控硅两端的反向峰值电压。使用时,不能超过手册给出的这个参数值。

4、 触发电压VGT 在规定的环境温度下,阳极---阴极间加有一定电压时,可控硅从关断状态转为导通状态所需要的最小控制极电流和电压。

5、 维持电流IH 在规定温度下,控制极断路,维持可控硅导通所必需的最小阳极正向电流。许多新型可控硅元件相继问世,如适于高频应用的快速可控硅,可以用正或负的触发信号控制两个方向导通的双向可控硅,可以用正触发信号使其导通,用负触发信号使其关断的可控硅等等。

参考资料:网络-可控硅

2、可控硅BTA12 600B的好坏测量怎么测 ??

可控硅的检测BTA12 600B可以使用万用表。用万用表来判断双向硅可控的好坏,但具体参数无法测量。方法如下:

T2极的测定:分别用万用表r*1或r*100测量每个管脚的反向电阻,其中如果测量两个管脚的正向和反向电阻小(约100oumuzooyou),也就是T1和g杆,剩下的脚就是T2杆。

T1和G极点的区别:假设两个极点中的任何一个假设为T1极,另一个极点假设为G极点,则万用表设为r*1文件,而两支笔(没有正极和负极)分别用来接触被识别的T2极和假设的T1极。

而接触T1笔会同时接触假设的G极,以确保假设的T1极保持开放,假设的G极断开,万用表仍显示传导状态。这支笔是用同样的方法交换和测量的。

如果万用表仍然显示相同的结果,则假设的T1极和G极是正确的.如果确保假设的T1极连续打开,假设的G极断开,万用表显示断开状态,表示假设的T1和G相反,来自新假设的测量必须正确。

如果上述结果无法测量,则双向硅可控不良。虽然这种方法不能测量具体的参数,但仍然可以确定它是否可用。

(2)可控硅怎么测量好坏扩展资料

可控硅的主要参数有:

1、 额定通态平均电流IT 在一定条件下,阳极---阴极间可以连续通过的50赫兹正弦半波电流的平均值。

2、 正向阻断峰值电压VPF 在控制极开路未加触发信号,阳极正向电压还未超过导能电压时,可以重复加在可控硅两端的正向峰值电压。可控硅承受的正向电压峰值,不能超过手册给出的这个参数值。

3、 反向阻断峰值电压VPR 当可控硅加反向电压,处于反向关断状态时,可以重复加在可控硅两端的反向峰值电压。使用时,不能超过手册给出的这个参数值。

4、 触发电压VGT 在规定的环境温度下,阳极---阴极间加有一定电压时,可控硅从关断状态转为导通状态所需要的最小控制极电流和电压。

5、 维持电流IH 在规定温度下,控制极断路,维持可控硅导通所必需的最小阳极正向电流。

许多新型可控硅元件相继问世,如适于高频应用的快速可控硅,可以用正或负的触发信号控制两个方向导通的双向可控硅,可以用正触发信号使其导通,用负触发信号使其关断的可控硅等等。

3、如何判断这个可控硅的好坏

这是一个平板型的可控硅。要判断它的好坏有两种方法:
一种把它拿到晶体管特性图示仪或其它专用仪器上进行测量,进而判断其好坏;另一种是简单地用万用表进行判断。
用万用表判断时先将万用表的两只表笔接可控硅的两个端面,电阻应呈无穷大(表针基本不动),再将表笔反过来亦如此。若这两步测量时电阻很小,则说明该可控已损坏。否则进行如下测量:再将黑表笔(表内电池+)接控制极(中间的引出线),红表笔(表内电池-)接阳极(离控制极较远的一个端面),此时应呈现很大的电阻,然后将表笔反过来测量,电阻值仍应呈现很大(表针基本不动),然后将黑表笔(表内电池+)接控制极(中间的引出线),红表笔(表内电池-)接阴极(离控制极(中间的引出线)较近的一个端面),此时应呈现几十~上百欧姆电阻,然后将表笔反过来测量,电阻值应比上次测量稍大(可能区别不明显)。测试结果若如上所述,则说明可控硅是好的,否则可控硅已损坏。
中间的小坑是安装时定位用的无特殊用途。
希望能对你有帮助。

4、如何测量可控硅的好坏?

可控硅分单向可控硅和双向可控硅两种,都是三个电极。单向可控硅有阴极(K)、阳极(A)、控制极(G)。双向可控硅等效于两只单项可控硅反向并联而成(见图1)。即其中一只单向硅阳极与另一只阴极相边连,其引出端称T2极,其中一只单向硅阴极与另一只阳极相连,其引出端称T2极,剩下则为控制极(G)。
1、单、双向可控硅的判别:先任测两个极,若正、反测指针均不动(R×1挡),可能是A、K或G、A极(对单向可控硅)也可能是T2、T1或T2、G极(对双向可控硅)。若其中有一次测量指示为几十至几百欧,则必为单向可控硅。且红笔所接为K极,黑笔接的为G极,剩下即为A极。若正、反向测批示均为几十至几百欧,则必为双向可控硅。再将旋钮拨至R×1或R×10挡复测,其中必有一次阻值稍大,则稍大的一次红笔接的为G极,黑笔所接为T1极,余下是T2极。
2、性能的差别:将旋钮拨至R×1挡,对于1~6A单向可控硅,红笔接K极,黑笔同时接通G、A极,在保持黑笔不脱离A极状态下断开G极,指针应指示几十欧至一百欧,此时可控硅已被触发,且触发电压低(或触发电流小)。然后瞬时断开A极再接通,指针应退回∞位置,则表明可控硅良好。
对于1~6A双向可控硅,红笔接T1极,黑笔同时接G、T2极,在保证黑笔不脱离T2极的前提下断开G极,指针应指示为几十至一百多欧(视可控硅电流大小、厂家不同而异)。然后将两笔对调,重复上述步骤测一次,指针指示还要比上一次稍大十几至几十欧,则表明可控硅良好,且触发电压(或电流)小。若保持接通A极或T2极时断开G极,指针立即退回∞位置,则说明可控硅触发电流太大或损坏。可按图2方法进一步测量,对于单向可控硅,闭合开关K,灯应发亮,断开K灯仍不息灭,否则说明可控硅损坏。
对于双向可控硅,闭合开关K,灯应发亮,断开K,灯应不息灭。然后将电池反接,重复上述步骤,均应是同一结果,才说明是好的。否则说明该器件已损坏。

5、如何用数字万用表测量可控硅的好坏(KP型号 300A 1600V)

短路一下可控硅(+)到可控硅触发极,灯泡会保持点亮状态,这个可控硅是好的。

当灯泡保持打开时:测量晶闸管两端的电压值,即晶闸管的电压降。电压越低越好;断开电源线,然后再连接,灯泡不会亮,除非按照前面的方法再次触发。实际上,晶闸管是用两个电池和一个手电筒灯泡来测试的。

注:有测量晶闸管的维护电流。当它小于它时,晶闸管会自动关闭,所以灯泡的功率不应该太小。

(5)可控硅怎么测量好坏扩展资料:

万用表不能有效地测试晶闸管的质量。如果测试阳极和阴极之间的电阻,它必须被破坏,但如果它不起作用,就不一定是好的。晶闸管阴极与控制极之间的二极管特性不明显。如果正向电阻完全不起作用或者反向电阻为0,则断开,但反向“漏”不能说断了,与普通二极管不同,它可以通过测量万用表的二极管是否正向导通和反向截止来判断是否良好。用导线使控制极短路,用阳极使灯泡通电,并在拆下导线后继续通电,直到电路断开。如果不能点燃,就意味着它坏了。

用导线使控制极短路,用阳极使灯泡通电,并在拆下导线后继续通电,直到电路断开。如果不能点燃,就意味着它坏了。

在使用中,只要将晶闸管的控制极和阳极短路,看看小灯泡能否点亮就行了。

6、两极双向可控硅怎样用万用表测量好坏

用万用表即可判断双向可控硅的好坏,但具体参数测不出来。

用万用表测量的方法如下:

1、T2极的确定:用万用表R*1档或R*100档,分别测量各管脚的反向电阻,其中若测得两管脚的正反向电阻都很小(约100欧姆左右),即为T1和G极,而剩下的一脚为T2极。

2、T1和G极的区分:将这两极其中任意一极假设为T1极而另一极假设为G极,万用表设置为R*1档,用两表笔(不分正负极)分别接触已确定的T2极和假设的T1极,并将接触T1的表笔同时接触假设的G极,在保证不断开假设的T1极的情况下,断开假设的G极,万用表仍显示导通状态。

3、将表笔对换,用同样的方法进行测量,如果万用表仍然显示同样的结果,那么所假设的T1极和G极是正确的。如果在保证不断开假设的T1极的情况下,断开假设的G极,万用表显示断开状态,说明假设的T1和G极相反了,从新假设再进行测量,结果一定正确。

如果测量不出上述结果,说明该双向可控硅是坏的。这种方法虽然不能测出具体参数,但判断是否可用还是可行的。

(6)可控硅怎么测量好坏扩展资料

两极双向可控硅使用需有条件:

(1)外加电压下允许超过正向转折电压,否则控制极将不起作用。

(2)可控硅的通态平均电流从安全角度考虑一般按最大电流的1.5~2倍来取。

(3)为保证控制极可靠触发,加到控制极的触发电流一般取大于其额值,除此以外,还必须采取保护措施,一般对过流的保护措施是在电路中串入快速熔断器,其额定电流取可控硅电流平均值的1.5倍左右,其接入的位置可在交流侧或直流侧,当在交流侧时额定电流取大些。

一般多采用前者,过电压保护常发生在存在电感的电路上,或交流侧出现干扰的浪涌电压或交流侧的暂态过程产生的过压。由于,过电压的尖峰高,作用时间短,常采用电阻和电容吸收电路加以抑制。

7、用数字万用表怎样判断可控硅好坏

1、使用数字万用表检查可控硅

数字万用表拨至二极管挡,红表笔接某一电极,黑表笔分别 接触另外两个电极。如果其中有一次显示电压为零点几伏, 则此时红表笔接的是控制极G,黑表笔接的是阴极K,余下 的则是阳极A。假如两次都显示溢出,说明红表笔接的不是 控制极,需更换电极重测。

测试可控硅的触发能力数字万用 PNP挡,此时 hFE 插口上的两个 带负电,电压为2.8V。可控硅的三个电极各用一根导线引出,阳极A、阴极K 引线分别插人E 孔,控制极G悬空。 此时可控硅关断,阳极电流为零,将显示 000。把控制极 插人另一个E孔。

显示值将从000 开始迅速增加,直到显示 溢出符号后,立即又变成 000,然后再次从 000 变到溢出, 这样周而复始。采用此法可确定可控硅的触发是否可靠。但 这样的测试由于电流较大,应尽量缩短测试时间。必要时也可在可控硅的阳极上串一只几百欧的保护电阻。如果使用 NPN 挡,可控硅阳极A 应接C 孔,阴极K 孔,以保证所加的是正向电压。

拓展资料:

一、可控硅:

可控硅(Silicon Controlled Rectifier) 简称SCR,是一种大功率电器元件,也称晶闸管。它具有体积小、效率高、寿命长等优点。在自动控制系统中,可作为大功率驱动器件,实现用小功率控件控制大功率设备。它在交直流电机调速系统、调功系统及随动系统中得到了广泛的应用。

可控硅分单向可控硅和双向可控硅两种。双向可控硅也叫三端双向可控硅,简称TRIAC。双向可控硅在结构上相当于两个单向可控硅反向连接,这种可控硅具有双向导通功能。其通断状态由控制极G决定。在控制极G上加正脉冲(或负脉冲)可使其正向(或反向)导通。这种装置的优点是控制电路简单,没有反向耐压问题,因此特别适合做交流无触点开关使用。

二、测量方法:

鉴别可控硅三个极的方法很简单,根据P-N结的原理,只要用万用表测量一下三个极之间的电阻值就可以。

阳极与阴极之间的正向和反向电阻在几百千欧以上,阳极和控制极之间的正向和反向电阻在几百千欧以上(它们之间有两个P-N结,而且方向相反,因此阳极和控制极正反向都不通) [1]  。

控制极与阴极之间是一个P-N结,因此它的正向电阻大约在几欧-几百欧的范围,反向电阻比正向电阻要大。可是控制极二极管特性是不太理想的,反向不是完全呈阻断状态的,可以有比较大的电流通过,因此,有时测得控制极反向电阻比较小,并不能说明控制极特性不好。另外,在测量控制极正反向电阻时,万用表应放在R*10或R*1挡,防止电压过高控制极反向击穿。

若测得元件阴阳极正反向已短路,或阳极与控制极短路,或控制极与阴极反向短路,或控制极与阴极断路,说明元件已损坏。

可控硅是可控硅整流元件的简称,是一种具有三个PN结的四层结构的大功率半导体器件。实际上,可控硅的功用不仅是整流,它还可以用作无触点开关以快速接通或切断电路,实现将直流电变成交流电的逆变,将一种频率的交流电变成另一种频率的交流电,等等。

可控硅和其它半导体器件一样,其有体积小、效率高、稳定性好、工作可靠等优点。它的出现,使半导体技术从弱电领域进入了强电领域,成为工业、农业、交通运输、军事科研以至商业、民用电器等方面争相采用的元件。

参考资料:网络可控硅

8、单向可控硅如何测量好坏

单向可控硅测量好坏方法:
用万用表测可控硅的好坏。用电阻x1k档,正、反向测量A、K之间的电阻值,均接近无穷大;用电阻x10Ω档测量G、K之间的电阻,从十几欧姆至百欧姆,功率越大欧姆值越小。正、反向电阻值相等或差异极小。说明可控硅的G、K并不像一般三极管的发射结,有明显的正、反向电阻的差异。这种测量方式是有局限性的,当A、K之间已呈故障开路状态时,则无法测出好坏。有的G、K间电阻值极小,也难以判别两控制极是否已经短路。

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